Легирование полупроводников ионным внедрением.
Код товара: 67672
Доступность: На складе
Артикул: 11190199
- 340.00 р.
-
Краткие характеристики
Автор
Вавилов В.С , Гусева В.М.
Год
1971
Город издания
Москва
Издание
Сборник статей.
Издательство
Мир
Количество страниц
532 с.
Переплет
твердый
Состояние
Хорошее.
Формат
обычный
Одной из основных проблем технологии изготовления полупроводниковых приборов является создание в объеме полупроводникового кристалла p-n переходов. В последние годы появился новый метод создания p-n переходов с помощью облучения полупроводника пучком соответствующих ионов.
Книга
Автор
Вавилов В.С , Гусева В.М.
Год
1971
Город издания
Москва
Издание
Сборник статей.
Издательство
Мир
Количество страниц
532 с.
Переплет
твердый
Состояние
Хорошее.
Формат
обычный
Похожие товары
Методы исследования оптических свойств кристаллов.
Книга посвящена изложению практической методики различных кристаллооптических измерений и наблюдений..
Автор: Меланхолин Н.М.
Год: 1970
750.00 р.
Турбулентный пограничный слой в сверхзвуковых потоках газа.
В книге содержатся теоретические и экспериментальные результаты исследований сопротивления, тепло- и..
Автор: Лапин Ю.В.
Год: 1982
700.00 р.
Введение в диаграммную технику Фейнмана.
Цель книги состоит в том, чтобы по возможности наиболее экономным способом изложить: 1) основные при..
Автор: Биленький С.М.
Год: 1971
860.00 р.
Группа путей: Измерения. Поля. Частицы.
В книге рассматриваются два круга физических проблем: 1) квантовая теория непрерывных измерений и 2)..
Автор: Менский М.Б.
Год: 1983
460.00 р.