Легирование полупроводников ионным внедрением.
Код товара: 67672
Доступность: На складе
Артикул: 11190199
- 340.00 р.
-
Краткие характеристики
Автор
Вавилов В.С , Гусева В.М.
Год
1971
Город издания
Москва
Издание
Сборник статей.
Издательство
Мир
Количество страниц
532 с.
Переплет
твердый
Состояние
Хорошее.
Формат
обычный
Одной из основных проблем технологии изготовления полупроводниковых приборов является создание в объеме полупроводникового кристалла p-n переходов. В последние годы появился новый метод создания p-n переходов с помощью облучения полупроводника пучком соответствующих ионов.
Книга
Автор
Вавилов В.С , Гусева В.М.
Год
1971
Город издания
Москва
Издание
Сборник статей.
Издательство
Мир
Количество страниц
532 с.
Переплет
твердый
Состояние
Хорошее.
Формат
обычный
Похожие товары
Системы и ряды элементов.
В книге излагаются основы теории систем (последовательностей) элементов гильбертова пространства, не..
Автор: Талдыкин А.Т.
Год: 1971
420.00 р.
Расчеты атомных структур.
Книга члена Английского Королевского общества профессора Д. Хартри «Расчеты атомных структур», выше..
Автор: Хартри Дуглас.
Год: 1960
600.00 р.
Легирование полупроводников ионным внедрением.
Одной из основных проблем технологии изготовления полупроводниковых приборов является создание в объ..
Автор: Вавилов В.С , Гусева В.М.
Год: 1971
340.00 р.