Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия.
Код товара: 57946
Доступность: Нет в наличии
Артикул: 11179887
- 300.00 р.
-
Краткие характеристики
Автор
-
Год
1969
Город издания
Москва
Издание
Под ред. Р.Бургера и Р.Донована. Пер.с англ.
Издательство
Мир
Количество страниц
451 с.
Переплет
твердый
Состояние
Хорошее
Формат
увеличенный
Книга посвящена процессам окисления, диффузии и эпитаксии кремния. По существу изложенный материал охватывает основные процессы планарной технологии - наиболее универсальной технологии, позволяющей производить любые полупроводниковые приборы от простейшего диода до сложнейших интегральных субсистем. Использованы малоизвестные или не публиковавшиеся ранее данные и сведения из отчетов фирм и докладов на конференциях. Приведено большое количество графиков и поясняющих схем.
Книга
Автор
-
Год
1969
Город издания
Москва
Издание
Под ред. Р.Бургера и Р.Донована. Пер.с англ.
Издательство
Мир
Количество страниц
451 с.
Переплет
твердый
Состояние
Хорошее
Формат
увеличенный
Похожие товары
Численные методы в физике плазмы
Сборник содержит статьи, освещающие материалы I Всесоюзной школы по численным методам в физике плазм..
Автор: -
Год: 1977
480.00 р.
Неравновесная колебательная кинетика
Коллективная монография, написанная ведущими специалистами из Италии, Англии, Дании, СССР, США, Фран..
Автор: -
Год: 1989
360.00 р.
Техника измерений на сверхвысоких частотах
597г Рассматриваются основные виды радиоизмерений на сверхвысоких частотах. Значительное внимание уд..
Автор: Тишер Ф.
Год: 1963
340.00 р.
Единицы физических величин
В справочнике приведены единицы Международной системы (СИ), даны наименования, обозначения, определе..
Автор: Бурдун Г.Д.
Год: 1963
180.00 р.
1969,