Основы технологии кремниевых интегральных схем. Окисление, диффузия, эпитаксия.
Код товара: 57946
Доступность: Нет в наличии
Артикул: 11179887
- 300.00 р.
-
Краткие характеристики
Автор
-
Год
1969
Город издания
Москва
Издание
Под ред. Р.Бургера и Р.Донована. Пер.с англ.
Издательство
Мир
Количество страниц
451 с.
Переплет
твердый
Состояние
Хорошее
Формат
увеличенный
Книга посвящена процессам окисления, диффузии и эпитаксии кремния. По существу изложенный материал охватывает основные процессы планарной технологии - наиболее универсальной технологии, позволяющей производить любые полупроводниковые приборы от простейшего диода до сложнейших интегральных субсистем. Использованы малоизвестные или не публиковавшиеся ранее данные и сведения из отчетов фирм и докладов на конференциях. Приведено большое количество графиков и поясняющих схем.
Книга
Автор
-
Год
1969
Город издания
Москва
Издание
Под ред. Р.Бургера и Р.Донована. Пер.с англ.
Издательство
Мир
Количество страниц
451 с.
Переплет
твердый
Состояние
Хорошее
Формат
увеличенный
Похожие товары
Лекции по применению теории групп в ядерной спектроскопии
Лекции, прочитанные Бейманом в Институте теоретической физики (Копенгаген) в 1957-1958 гг. Изложение..
Автор: Бейман Б.Ф.
Год: 1961
300.00 р.
Метод фазовых функций в квантовой механике
Дается изложение простого и эффективного метода решения задач квантовой механики, получившего в посл..
Автор: Бабиков В. В.
Год: 1988
150.00 р.
Сверхвысокочастотные методы исследования плазмы
Книга содержит систематическое описание методов экспериментального исследования плазмы, основанных н..
Автор: Голант В.Е.
Год: 1968
300.00 р.
Численные методы в физике плазмы
Сборник содержит статьи, освещающие материалы I Всесоюзной школы по численным методам в физике плазм..
Автор: -
Год: 1977
400.00 р.
1969,