Прямые методы исследования дефектов в кристаллах
Код товара: 49087
Доступность: Нет в наличии
Артикул: 11170538
- 360.00 р.
-
Краткие характеристики
Автор
-
Год
1965
Город издания
Москва
Издание
Перевод с английского
Издательство
Мир
Количество страниц
352 с.
Переплет
твердый
Состояние
Хорошее
Формат
увеличенный
Книга представляет собой тематический сборник работ ведущих зарубежных исследователей, посвященный выявлению дефектов в кристаллах методами трансмиссионной электронной микроскопии и рентгеновской дифракционной топографии. Эти наиболее универсальные и объективные методы исследования дефектов находят все более широкое применение в научных и промышленных лабораториях нашей страны, занятых вопросами физики и химии твердого тела. В конце книги большое количество ч/б фотографий на отдельных листах из мелованной бумаги.
Книга
Автор
-
Год
1965
Город издания
Москва
Издание
Перевод с английского
Издательство
Мир
Количество страниц
352 с.
Переплет
твердый
Состояние
Хорошее
Формат
увеличенный
Похожие товары
Лазерная фотоионизационная спектроскопия
Дано систематическое изложение принципов лазерной фотоионизационной спектроскопии, обладающей ультра..
Автор: Летохов В.С.
Год: 1987
1 100.00 р.
Труды Всесоюзного симпозиума по проблеме турбулентных течений, включая геофизические приложения. (Киев, ]6-2] июня
0..
Автор: Турбулентные течения.
Год: 1970
600.00 р.
Электропроводность сегнетоэлектриков
В монографии научно-справочного характера приводятся сведения об электропроводности и ряде родственн..
Автор: Гуревич В.М.
Год: 1969
990.00 р.
Современные проблемы квантовой химии; Строение и свойства молекулы
Сборник содержит статьи по электронному строению и внутренней динамике молекул, написанные ведущими ..
Автор: -
Год: 1986
880.00 р.
1965,
