Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках
Код товара: 34563
Доступность: На складе
Артикул: 11153954
- 360.00 р.
-
Краткие характеристики
Автор
Винецкий В.Л., Холодарь Г.А.
Год
1969
Город издания
Киев
Издание
-
Издательство
Наукова думка
Количество страниц
188 с.
Переплет
твердый
Состояние
Хорошее. Штампы
Формат
увеличенный
Рассматриваются особенности физический свойств полупроводников, обусловленные статистическим взаимодействием электронов и дефектов. Учет такого взаимодействия позволяет понять природу высокотемпературной электропроводности ряда полупроводников (собственнодефектная проводимость), природу равновесной и неравновесной самокомпенсации проводимости, определить зависимость концентрации носителей тока и других факторов.
Книга
Автор
Винецкий В.Л., Холодарь Г.А.
Год
1969
Город издания
Киев
Издание
-
Издательство
Наукова думка
Количество страниц
188 с.
Переплет
твердый
Состояние
Хорошее. Штампы
Формат
увеличенный
Похожие товары
Оптика, строение атома, атомное ядро
Книга представляет собой учебное пособие по курсу общей физики для втузов. В нее вошли вопросы оптик..
Автор: Корсунский М. И.
Год: 1962
220.00 р.
Статистическая физика
В книге дается современное изложение статистической физики, включая термодинамику. В основу изложени..
Автор: Терлецкий Я.П.
Год: 1966
220.00 р.
Голографические измерения
Изложены теоретические основы голографометрии, описан голографический измерительный комплекс аппарат..
Автор: Гинзбург В. М., Степанов Б. М.
Год: 1981
300.00 р.
Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках
Рассматриваются особенности физический свойств полупроводников, обусловленные статистическим взаимод..
Автор: Винецкий В.Л., Холодарь Г.А.
Год: 1969
360.00 р.
1969, Винецкий В.Л., Холодарь Г.А.