Статистическое взаимодействие электронов и дефектов в полупроводниках
Код товара: 34563
Доступность: На складе
Артикул: 11153954
- 360.00 р.
-
Краткие характеристики
Автор
Винецкий В.Л., Холодарь Г.А.
Год
1969
Город издания
Киев
Издание
-
Издательство
Наукова думка
Количество страниц
188 с.
Переплет
твердый
Состояние
Хорошее. Штампы
Формат
увеличенный
Рассматриваются особенности физический свойств полупроводников, обусловленные статистическим взаимодействием электронов и дефектов. Учет такого взаимодействия позволяет понять природу высокотемпературной электропроводности ряда полупроводников (собственнодефектная проводимость), природу равновесной и неравновесной самокомпенсации проводимости, определить зависимость концентрации носителей тока и других факторов.
Книга
Автор
Винецкий В.Л., Холодарь Г.А.
Год
1969
Город издания
Киев
Издание
-
Издательство
Наукова думка
Количество страниц
188 с.
Переплет
твердый
Состояние
Хорошее. Штампы
Формат
увеличенный
Похожие товары
Основы физики и техники полупроводников
В книге изложены основы физики полупроводников и их практические применения. Первые четыре главы охв..
Автор: Л. Л. Неменов, М. С. Сминский
Год: 1974
300.00 р.
Тепломассообмен и трение при градиентном течении жидкостей
Излагаются основы теории и методов расчета тепломассообмена и трения в каналах переменного сечения, ..
Автор: Романенко П.Н.
Год: 1971
360.00 р.
Очевидное? Нет, еще неизведанное...
Эта книга в конечном итоге посвящена специальной теории относительности. Чтобы понять ее содержание ..
Автор: Смилга В. П.
Год: 1961
150.00 р.
Акустические кристаллы
В справочнике собраны материалы по основным физическим свойствам кристаллов, наиболее часто применяе..
Автор: Блистанов А.А., Бондаренко В.С., Переломова Н.В. и др.
Год: 1982
600.00 р.
1969, Винецкий В.Л., Холодарь Г.А.