Термодинамика и кинетика взаимодействующих дефектов в полупроводниках.
Код товара: 64445
Доступность: На складе
Артикул: 11186749
- 360.00 р.
-
Краткие характеристики
Автор
Булярский С. В.,Фистунь В. И.
Год
1997
Город издания
Москва
Издание
-
Издательство
Наука
Количество страниц
352 с.
Переплет
твердый
Состояние
Хорошее.
Формат
увеличенный
Монография посвящена анализу механизмов взаимодействий точечных дефектов(примесей,вакансий,антиструктурных дефектов и др.) в элементарных полупроводниках и многокомпонентных полупроводниковых соединениях. Рассмотрены движущие силы взаимодействий,их термодинамическое описание,кинетика-миграция точечных дефектов с учетом их взаимодействий в полупроводниковых кристаллах и приборах. Для научных и инженерно-технических работников в области получения,обработки полупроводников,профессорско-преподавательского состава вузов,аспирантов,студентов
Книга
Автор
Булярский С. В.,Фистунь В. И.
Год
1997
Город издания
Москва
Издание
-
Издательство
Наука
Количество страниц
352 с.
Переплет
твердый
Состояние
Хорошее.
Формат
увеличенный
Похожие товары
Голографическая интерферометрия.
Голографическая интерферометрия - важнейшее практическое применение голографии. Она имеет ряд уникал..
Автор: Островский Ю. И., Бутусов М. М., Островская Г. В.
Год: 1977
300.00 р.
Бета-распад.
В книге описана элементарная и классическая теория бето-распада, его классификация и характеристики...
Автор: Ву Ц. С., Мошковский С. А.
Год: 1970
600.00 р.
Кориолисово взаимодействие в атомных ядрах.
В монографии приводятся расчеты вероятностей электромагнитных переходов в атомных ядрах с учетом эфф..
Автор: Бегжанов Р. Б., Дубро В. Г.
Год: 1979
540.00 р.
Рекомбинация носителей тока в полупроводниках. Сборник статей.
Проблема рекомбинации носителей тока вместе со связанными с ней вопросами занимает одно из центральн..
Автор: -
Год: 1959
180.00 р.
Булярский С. В., Фистунь В. И.