Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках
Код товара: 59269
Доступность: Нет в наличии
Артикул: 11181255
- 300.00 р.
-
Краткие характеристики
Автор
Болтакс Б.И.
Год
1972
Город издания
Ленинград
Издание
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе АН СССР.
Издательство
Наука
Количество страниц
384 с.
Переплет
твердый
Состояние
Хорошее. Владельческая подпись
Формат
увеличенный
В книге излагаются основы теории диффузии и дефектообразования в полупроводниках.Обобщен и систематизирован экспериментальный материал по диффузии примесей и самодиффузии в элементарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях.Рассматривается влияние структурных дефектов,внутренних электрических полей и облучения на диффузию,а также диффузия примесей по свободной поверхности полупроводников.Отдельные главы посвящены рассмотрению основ и результатов экспериментальных исследований растворимости примесей в полупроводниках и распаду пересыщенных твердых растворов.
Книга
Автор
Болтакс Б.И.
Год
1972
Город издания
Ленинград
Издание
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе АН СССР.
Издательство
Наука
Количество страниц
384 с.
Переплет
твердый
Состояние
Хорошее. Владельческая подпись
Формат
увеличенный
Похожие товары
Усреднение в теории устойчивости: Исследование резонансных многочастотных систем
Излагается обобщение второго метода Ляпунова, основанное на сочетании этого метода и асимптотическог..
Автор: Хапаев М.М.
Год: 1986
300.00 р.
Теория упругости
Теория упругости представляет собой весьма важный раздел математической физики. Она рассматривает де..
Автор: Филоненко-Бородич М.М.
Год: 1947
200.00 р.
Насадочные колонки в газовой хроматографии
Книга посвящена приготовлению и использованию хроматографических колонок — области исследований мето..
Автор: Супина В.
Год: 1977
450.00 р.
Электронные процессы в некристаллических веществах. в 2-х томах. Тома 1,2
Тираж 6 000 экз. Монография лауреата Нобелевской премии Н. Мотта и Э. Дэвиса Великобритания), сущест..
Автор: Мотт Н., Дэвис Э.
Год: 1982
1 000.00 р.