Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках

Код товара: 59269
Доступность: Нет в наличии
Артикул: s111-81255

  • 300.00 р.


Краткие характеристики
Автор Болтакс Б.И.
Год 1972
Город издания Ленинград
Издание Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе АН СССР.
Издательство Наука
Количество страниц 384 с.
Переплет твердый
Состояние Хорошее. Владельческая подпись
Формат увеличенный
Все характеристики


В книге излагаются основы теории диффузии и дефектообразования в полупроводниках.Обобщен и систематизирован экспериментальный материал по диффузии примесей и самодиффузии в элементарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях.Рассматривается влияние структурных дефектов,внутренних электрических полей и облучения на диффузию,а также диффузия примесей по свободной поверхности полупроводников.Отдельные главы посвящены рассмотрению основ и результатов экспериментальных исследований растворимости примесей в полупроводниках и распаду пересыщенных твердых растворов.

Книга

Автор Болтакс Б.И.
Год 1972
Город издания Ленинград
Издание Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе АН СССР.
Издательство Наука
Количество страниц 384 с.
Переплет твердый
Состояние Хорошее. Владельческая подпись
Формат увеличенный
Внимание: HTML не поддерживается! Используйте обычный текст!
Captcha

1972, Болтакс Б.И.