Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках
Код товара: 59269
Доступность: Нет в наличии
Артикул: s111-81255
- 300.00 р.
-
Краткие характеристики
Автор
Болтакс Б.И.
Год
1972
Город издания
Ленинград
Издание
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе АН СССР.
Издательство
Наука
Количество страниц
384 с.
Переплет
твердый
Состояние
Хорошее. Владельческая подпись
Формат
увеличенный
В книге излагаются основы теории диффузии и дефектообразования в полупроводниках.Обобщен и систематизирован экспериментальный материал по диффузии примесей и самодиффузии в элементарных полупроводниках и полупроводниковых соединениях.Рассматривается влияние структурных дефектов,внутренних электрических полей и облучения на диффузию,а также диффузия примесей по свободной поверхности полупроводников.Отдельные главы посвящены рассмотрению основ и результатов экспериментальных исследований растворимости примесей в полупроводниках и распаду пересыщенных твердых растворов.
Книга
Автор
Болтакс Б.И.
Год
1972
Город издания
Ленинград
Издание
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе АН СССР.
Издательство
Наука
Количество страниц
384 с.
Переплет
твердый
Состояние
Хорошее. Владельческая подпись
Формат
увеличенный
Похожие товары
Химико-кристаллооптический анализ важнейших породообразующих минералов
Работа содержит краткое описание методов микрохимического качественного анализа главнейших породообр..
Автор: Буракова Т.Н.
Год: 1950
250.00 р.
Усреднение в теории устойчивости: Исследование резонансных многочастотных систем
Излагается обобщение второго метода Ляпунова, основанное на сочетании этого метода и асимптотическог..
Автор: Хапаев М.М.
Год: 1986
300.00 р.
Практикум по неорганическому синтезу
В пособии рассматриваются приготовление растворов, очистка веществ, получение металлов и неметаллов,..
Автор: Леснова Е.В., Вишнякова О.А.
Год: 1986
250.00 р.
Теория упругости
Теория упругости представляет собой весьма важный раздел математической физики. Она рассматривает де..
Автор: Филоненко-Бородич М.М.
Год: 1947
200.00 р.