Модифицирование полупроводников пучками протонов

В монографии впервые дано систематическое изложение современного состояния исследований модифицирования полупроводников пучками протонов. Выполнен анализ общих феноменологических закономерностей взаимодействия легких ионов с монокристаллическими полупроводниками. Проведено концептуальное обобщение результатов фундаментальных исследований, полученных в течение последнего времени по таким основным направлениям радиационного модифицирования полупроводников пучками протонов, как трансмутационное ядерное легирование, радиационно-стимулированная диффузия, легирование радиационными дефектами и формирование наноразмерных пористых слоев. Книга предназначена для научных работников в области физики взаимодействия излучения с веществом и радиационной физики твердого тела, а также для практиков в области электронного материаловедения и технологии полупроводниковых приборов. Библиогр.: 110 назв. Тираж 650 экз.