Полевые транзисторы. Физика, технология и применения.

Рассматриваются наиболее важные вопросы теории, конструирования и применения полевых транзисторов, в том числе физика поверхности полупроводников, физика диэлектриков, структура и рост пленок двуокиси кремния, тонкопленочный транзистор и его применение в интегральных схемах, использование полевого транзистора в усилительных и цифровых схемах. Особое внимание уделяется конструированию интегральных схем. Книга содержит материал, имеющий практическую ценность, например, формулы для расчета толщины термически выращенной пленки двуокиси кремния в зависимости от времени и температуры окисления, уравнения для расчета характеристик и параметров полевых транзисторов и электронных схем на их основе, экспериментальные данные по радиационной стойкости транзисторов.