Полупроводниковые реле сопротивления.

В книге рассматриваются вопросы построения, анализа схем и практического выполнения реле сопротивления, содержащих полупроводниковые элементы и нашедших применение в основном в качестве пусковых и измерительных органов дистанционных защит воздушных линий электропередачи.

ПРЕДИСЛОВИЕ

Реле сопротивления получили широкое распространение в практике релейнои защиты, где применяются в основном в качестве пусковых и измерительных органов дистанционных. В ряде случаев реле сопротивления применяют и пои выполнении защит других объектов энергосистем В связи с прогрессом полупроводниковой Появились новые Способ построения реле сопротивления. Возможности повышения их качественных пакыателей (новые Виды характеристик срабатывания Высокая чувствительность, быстродействие). В-то же время при проектировании реле сопротивления на основе сравнительно давно известных способов возникают Вопросы, связанные с выбором целесообразного принципа выполнения реле и оптимальных параметров схем. В данной книге рассмотрены Основные способы построения полупроводниковых реле сопротивления, В том числе и появившиеся В последнее Время. Существует значительное многообразие вариантов выполнения реле на основе отдельных способов сравнения электрических величин. В книге рассмотрены отдельные варианты основных способов, а для некоторых способов приведены аналитические зависимости, позволяющие производить выбор параметров конкретных схем. Следует отметить, что в настоящее время не решены полностью вопросы динамики реле сопротивления, поведения его в переходных режимах энергосистем, а также вопросы, связанные с оптимальным построением схем реле, обеспечивающим высокую чувствительность, помехоустойчивость и надежность функционирования. Исследования по указанным вопросам, которые во многих случаях являются Определяющими при Выборе реле сопротивления, проводятся рядом организаций. Учитывая внедрение полупроводниковой техники в практику релейной защиты, в книге приведены описания принципов работы реле сопротивления с применением полупроводниковых элементов, освоенных и осваиваемых в настоящее время отечественной промышленностью, разработанных во Всесоюзном НИИ релестроения ВНИИР), институтах Знергосетьпроект и ВНИИЗ с участием Чебоксарского злектроаппаратного завода