Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках.

Монография А Милнса, известного американского ученого, специалиста в области физики полупроводников, содержит обширный систематизированный экспериментальный материал, касающийся природы, свойств и различных проявлений примесных центров с глубокими уровнями в германии, кремнии и полупроводниках типа А3B5. Подробно рассмотрены различные неравновесные процессы в этих проводниках и p-n-переходах на их основе: механизмы захвата носителей примесными центрами при наличии электрического поля и в его отсутствие; рекомбинация и прилипание носителей; кинетика фототока и тока переключения диодов; термостимулированная проводимость; токи, ограниченные объемным зарядом и биполярная инженерия; различного типа неустойчивости тока; проводимость в примесной зоне.