Теория и практика применения транзисторов

Из содержания: Полупроводниковые приборы П-12, П406 и П407; Модуляция параметров неравновесной проводимости как новый принцип действия полупроводниковых приборов; Магнитное управление током полупроводникового диода; Исследование r-n перехода при больших плотностях тока; Приближенные методы расчета переходных процессов в транзисторах при больших сигналах; Исследование предельных режимов работы плоских диодов типов ДГЦ; Определение у-параметров транзистора с помощью естественной эквивалентной схемы; Частотная зависимость малосигнальных параметров транзисторов при больших уровнях инъекции; Упрощенный мостовой метод измерения комплексных параметров транзисторов; Энергетический анализ многокаскадных полупроводниковых усилителей; Некоторые методы температурной стабилизации усилительных схем и схем релаксационных генераторов; Приближенный анализ работы блокинг-генератора; Полупроводниковые сумматоры для цифровых вычислительных машин; Применение полупроводниковых приборов для построения малых электронных автоматических телефонных станций; Принципы построения измерительной аппаратуры на полупроводниковых триодах для измерения ускорений и перемещений; и другие статьи...Иллюстрации( графики, схемы)